计算机工程与应用 ›› 2010, Vol. 46 ›› Issue (12): 227-229.DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.2010.12.068
吴永亮,万旺根,崔 滨
WU Yong-liang,WAN Wang-gen,CUI Bin
摘要: 提出了一个新的、适合于三维条件下集成电路刻蚀过程的数学模型,并对其进行离散化处理,使它能够使用数字计算机进行刻蚀过程的仿真;同时研究了刻蚀过程的表面演化过程并给出了相关的数学模型;又研究了刻蚀模型仿真可视化技术的相关算法以及实现;最后给出了仿真结果并对其进行了讨论。
中图分类号: